三安集成：第三代HBT问世 加快推动5G年代
时间: 2024-04-13 
作者: 10月14日，三安集成接连第四次参与电子规划立异大会(EDICON)，与通讯职业同仁一起讨论职业热门话题。本次展会，三安集成携最新打破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工艺，为客户出现两场技术交流共享会。
三安集成在砷化镓射频芯片制作工艺范畴继续投入，逐渐的提高工艺水平，第三代HBT工艺能使用于HPUE/APT PA，供给了更高的功率密度以及PAE水平，支撑客户在高频段消费类通讯的使用需求。别的，0.1/0.15/0.25um pHEMT工艺均已完成量产，可认为客户供给世界一流的出产才能和功能水平。在展会期间，砷化镓射频事业部的林义书处长就5G使用商场论述三安集成的服务才能。
为合作客户在射频前端模组的规划需求，三安集成也在活跃建造滤波器产业链，于日本建立研制中心，聚集世界顶级科研才智，及时呼应商场动态，为客户供给最新的技术成果;三安集成在泉州南安制作基地布局了完好的滤波器供给链，笔直整合了研制规划，衬底资料，芯片制作和封装测验等环节，保证安稳继续的产能供给，估计到2021年第二季度，产能可以到达120Mu/月。滤波器事业部的谢祥政司理也就外表声波滤波器仿真的相关议题进行了共享。
三安以近20年的化合物半导体制作经历，专业的规划支撑团队，以及充足的产能，为微波射频、功率电子以及光技术范畴的客户供给标准化及客制化的出产服务。
