VLSI Symposium是集成电路范畴最具盛名的三大国际会议（IEDM, ISSCC和VLSI）之一，本年VLSI Symposium于6月16日至6月20日在美国夏威夷举办，会议汇集了世界各地职业和学术界的工程师和科学家，评论超大规模集成电路制作和规划中的挑战和难题。

  跟着先进工艺节点的继续推动，二维半导体晶体管的研制有助于连续摩尔定律，继续推动晶体管特征尺度的微缩，不断的进步芯片算力。在根据二维半导体沟道的晶体管中，沟道的质量至关重要，惯例直接成长办法堆积的多晶沟道存在很多晶界，导致器材较低的载流子迁移率。而经过单晶衬底外延成长的二维半导体本钱较大，制备器材所必需的搬运进程也会带来污染与缺点等。此研讨受单晶衬底外延成长的启示，在硅片上规划了非晶Al2O3三角形类台阶图画，一起使用二维半导体在非晶Al2O3和SiO2上吸附能的差异性（图1a），促进单晶ML-MoS2阵列的选择性区域成长(Selectiveareagrowth, SAG)（图1b）。一起在SAG单晶ML-MoS2上直接（无需搬运进程）进行了大规模双栅晶体管的制备（图1c-d）。

  图1. SAG MoS2晶体管概念与集成。(a) DFT核算二维半导体MoS2在不同非晶衬底上的吸附能；(b)图画化工艺辅佐的SAG单晶ML-MoS2；根据SAGML-MoS2沟道的双栅晶体管(c)三维示意图和 (d) 阵列显微镜图

  图2. SAG MoS2晶体管功能。(a) 根据SAG ML-MoS2沟道的背栅晶体管与直接成长制备的MoS2背栅晶体管搬运特性曲线比照；(b)本工作中SAG ML-MoS2晶体管功能与相关文献比照的基准图

  我国科大微电子学院硕士研讨生朱贵旭为该论文榜首作者，石媛媛教授为通讯作者，该项研讨得到了国家自然科学基金的赞助，一起也得到了我国科大信息科学技术学院、微纳研讨与制作中心以及理化中心的支撑。