N沟道 - OFweek电子工程网
 时间: 2024-04-30 |作者: 火狐体育亚洲官网登录

  光耦合器通常称为光隔离器,它们由输入LED(发光二极管)和输出光电晶体管或光电达林顿晶体管组成;通过在输入和输出电路之间提供电气隔离,同时允许信号传输。这种隔离对于安全性、信号完整性和降噪至关重要。

  专为分布式光伏测试而生--ITECH艾德克斯IT-N2100系列太阳能阵列模拟器新品上市

  5月26日,艾德克斯针对分布式光伏组件的测试,如微逆变器、功率优化器的测试,正式对外发布了高速太阳能阵列模拟器IT-N2100系列。从此,一台模拟器既可高速高精度模拟百瓦内的光伏电池板IV曲线,又可覆盖目前较大功率、较大电流的组件级光伏微逆变器或优化器的测试,对众多行业新进者无疑是一大利好

  四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65

  氮化镓化学式为GaN,由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成,相关器件加快速度进行发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景

  IAR Systems 全面支持Renesas RZ/T2 和 RZ/N2 系列 MPU,助力实时控制和工业网络开发

  IAR Embedded Workbench® 的创新工具助力加快下一代工厂自动化应用的开发,满足高性能电机控制所必需的实时性能、工业网络和功能安全等要求。瑞典乌普萨拉 - 2022

  三星称自己在6月底量产了3nm工艺,于是万众期待,大家都想看台积电的3nm何时量产,与三星相比又怎么样,毕竟当前能够量产3nm,且一路竞争的,只有这两家。原来台积电表示,3nm已试产,2023年上半年会量产,第一代3nm工艺称之为N3,至于客户则是苹果,也有一定的概率会有intel,高通、联发科等

  经典焕新升级,IT-N6900再起新征程——ITECH“N”系升级款新品IT-N6900大揭秘!

  近日,ITECH新品发布会隆重召开,除了一直备受业界关注的IT7900P系列、IT8200系列交流测试解决方案正式对外发布以外,还有一款“N”系升级款新品揭开了神秘面纱。作为经典直流电源IT6900A系列

  Littelfuse Pxxx0S3N SIDACtors采用紧凑封装,可提供高浪涌电流过压保护

  专为工厂自动化、储能系统(ESS)、电动汽车(EV)壁式充电器等工业应用而设计中国北京,2022年4月19日讯– 致力于为可持续发展、相互连通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse

  东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅度提高电源效率

  中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设施开关电源,这中间还包括数据中心电源和通信基站电源

  助力中国“芯”发展!国民技术N32G455系列通用MCU产品荣获第十六届中国芯“优秀市场表现产品奖”

  2021年12月20日,以“链上中国芯 成就中国造”为主题,由中国电子信息产业发展研究院举办的第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会在广东珠海国际会展中心成功举办。国民技术N32G455系列通用MCU产品凭借出色的市场表现,从数百款产品中脱颖而出,荣膺2021中国芯“优秀市场表现产品奖”

  是德科技推出新一代多模时钟恢复模块产品N1077B,推动800G技术发展

  自二十世纪七十年代光纤诞生以来,光通信技术引领信息技术变革,光通信以光波作为信息传输的载体,以光纤作为信息传输媒介,具有高速率、大容量、长距离等技术优势,在移动通信、光纤宽带、数据中心、消费电子、汽车电子和工业制造等领域大范围的应用